Please use this identifier to cite or link to this item: https://repositorio.accefyn.org.co/handle/001/1013 Cómo citar
Title: Propiedades electrónicas y estructurales del Ga1-xCrxAs
Authors: Martínez Velásquez, Nasly Y.
Rodríguez Martínez, Jairo A.
Academia Colombiana de Ciencias Exactas, Físicas y Naturales
Issue Date: 13-Apr-2018
Publisher: Academia Colombiana de Ciencias Exactas, Físicas y Naturales
Abstract: Mediante el uso de principios basados en la teoría del funcional de la densidad - DFT (Density Functional Theory) se calcularon las propiedades electrónicas y estructurales del compuesto Ga1-xCrxAs. Empleando el método de ondas planas y la aproximación de pseudopotenciales atómicos ultra suaves se resolvieron las ecuaciones de Kohn-Sham. Para la energía de intercambio y correlación se empleó la aproximación de gradiente generalizado, dentro de la parametrización de Perdew-Burke-Ernzerhof (PBE) tal como está implementada en el código computacional Quantum-Espresso. Al dopar GaAs con impurezas de Cr, el sistema exhibe un comportamiento tipo half-metallic. Dicho material puede ser usado en espintrónica.
The structural and electronic properties of the Ga1-xCrxAs compound were calculated by employing principles based in the Density Functional Theory-DFT. In order to solve the Kohn-Sham equations, the plane wave method and the ultrasoft atomic pseudopotential approximation were used. Moreover, for the exchange and correlation energy, the generalized gradient approximation was employed, taking into account the Perdew-Burke-Ernzerhof (PBE) parametrization, as it is implemented in the computational code quantum espresso. To dope the GaAs with impurities, the system exhibits a half-metallic behavior. This material can be used in spintronics.
URI: https://repositorio.accefyn.org.co/handle/001/1013
DOI: https://doi.org/10.18257/raccefyn.516
Appears in Collections:BA. Revista de la Academia Colombiana de Ciencias Exactas Físicas y Naturales

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