@ARTICLE{Mar_Pro_2018,
author = "Martínez Velásquez, Nasly Y. - Rodríguez Martínez, Jairo A.",
title = "Propiedades electrónicas y estructurales del Ga1-xCrxAs",
abstract = "Mediante el uso de principios basados en la teoría del funcional de la densidad - DFT (Density Functional Theory) se calcularon las propiedades electrónicas y estructurales del compuesto Ga1-xCrxAs. Empleando el método de ondas planas y la aproximación de pseudopotenciales atómicos ultra suaves se resolvieron las ecuaciones de Kohn-Sham. Para la energía de intercambio y correlación se empleó la aproximación de gradiente generalizado, dentro de la parametrización de Perdew-Burke-Ernzerhof (PBE) tal como está implementada en el código computacional Quantum-Espresso. Al dopar GaAs con impurezas de Cr, el sistema exhibe un comportamiento tipo half-metallic. Dicho material puede ser usado en espintrónica.",
year = 2018,
publisher = "Academia Colombiana de Ciencias Exactas, Físicas y Naturales",
url = "https://repositorio.accefyn.org.co/handle/001/1013",
}