TY - NEWS
TI - Propiedades electrónicas y estructurales del Ga1-xCrxAs
AU - Martínez Velásquez, Nasly Y.
AU - Rodríguez Martínez, Jairo A.
AB - Mediante el uso de principios basados en la teoría del funcional de la densidad - DFT (Density Functional Theory) se calcularon las propiedades electrónicas y estructurales del compuesto Ga1-xCrxAs. Empleando el método de ondas planas y la aproximación de pseudopotenciales atómicos ultra suaves se resolvieron las ecuaciones de Kohn-Sham. Para la energía de intercambio y correlación se empleó la aproximación de gradiente generalizado, dentro de la parametrización de Perdew-Burke-Ernzerhof (PBE) tal como está implementada en el código computacional Quantum-Espresso. Al dopar GaAs con impurezas de Cr, el sistema exhibe un comportamiento tipo half-metallic. Dicho material puede ser usado en espintrónica.
DA - 2018-04-13
KW - Propiedades electrónicas
KW - Electronic properties
KW - DFT
KW - DFT
KW - QE
KW - QE
KW - Ga1-xCrxAs
KW - Ga1-xCrxAs
PB - Academia Colombiana de Ciencias Exactas, Físicas y Naturales
UR - https://repositorio.accefyn.org.co/handle/001/1013
ER -